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Transístor transparente mais rápido do mundo
Site Inovação Tecnológica
A novidade está na técnica de fabricação, uma melhoria em relação ao processo básico usado até agora para fabricar transistores com materiais à base de carbono. [Imagem: Yongbo Yuan et al./Nature Communications]
Transistores orgânicos de filme fino
Transistores orgânicos de película fina podem ser baratos, flexíveis e transparentes.
Contudo, eles não são rápidos o suficiente para entusiasmar a indústria a começar a fabricar produtos a partir deles, como já aconteceu com os LEDs orgânicos, ou OLEDs.
A boa notícia é que acabam de ser construídos os transistores orgânicos mais rápidos do mundo, superando largamente seus antecessores.
O avanço demonstra que esta tecnologia ainda experimental tem o potencial para atingir o desempenho necessário para ser incorporado em dispositivos eletrônicos práticos.
Os novos transistores orgânicos de película fina chaveiam, em média, mais de cinco vezes mais rápido do que os protótipos anteriores - e alguns deles são muito mais rápidos do que isso.
Eles foram construídos por uma equipe das universidades de Nebraska-Lincoln e Stanford, nos Estados Unidos, liderados pela professora Zhenan Bao, que já havia criado uma técnica de impressão que melhorou a eletrônica orgânica em 10 vezes.
Os pesquisadores demonstraram que é possível criar circuitos eletrônicos orgânicos de desempenho muito bom com 90% de transparência. [Imagem: Jinsong Huang/Yongbo Yuan]
Transistores orgânicos de alta velocidade
E a novidade está novamente na técnica de fabricação, uma melhoria em relação ao processo básico usado até agora para fabricar transistores com materiais à base de carbono.
Normalmente os pesquisadores colocam uma solução rica em moléculas de carbono e um plástico complementar sobre um substrato de sustentação, e fazem esse material girar, distribuindo a solução na forma de uma fina camada sobre o substrato.
A nova técnica tem duas diferenças principais: a solução é depositada apenas sobre uma pequena porção do substrato - uma área do tamanho de um selo postal - e, segundo, o substrato é girado em uma velocidade significativamente maior.
Estas modificações aparentemente simples resultaram em uma concentração mais densa e em um alinhamento mais perfeito das moléculas orgânicas - o suficiente para que os transistores resultantes fossem pelo menos cinco vezes melhores.
O processo continua a ser experimental, e os pesquisadores ainda não conseguem controlar com precisão os transistores resultantes, que também apresentam grandes variações de desempenho.
Contudo, mesmo neste estágio, alguns dos transistores resultantes já têm desempenho comparável ao dos transistores de silício usados nos processadores de computador mais modernos.
Além disso, os pesquisadores demonstraram que podem criar circuitos eletrônicos orgânicos de desempenho muito bom com 90% de transparência.
Bibliografia:
Ultra-high mobility transparent organic thin film transistors grown by an off-centre spin-coating method
Yongbo Yuan, Gaurav Giri, Alexander L. Ayzner, Arjan P. Zoombelt, Stefan C. B. Mannsfeld, Jihua Chen, Dennis Nordlund, Michael F. Toney, Jinsong Huang, Zhenan Bao
Nature Communications
Vol.: 5, Article number: 3005
DOI: 10.1038/ncomms4005
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A novidade está na técnica de fabricação, uma melhoria em relação ao processo básico usado até agora para fabricar transistores com materiais à base de carbono. [Imagem: Yongbo Yuan et al./Nature Communications]
Transistores orgânicos de filme fino
Transistores orgânicos de película fina podem ser baratos, flexíveis e transparentes.
Contudo, eles não são rápidos o suficiente para entusiasmar a indústria a começar a fabricar produtos a partir deles, como já aconteceu com os LEDs orgânicos, ou OLEDs.
A boa notícia é que acabam de ser construídos os transistores orgânicos mais rápidos do mundo, superando largamente seus antecessores.
O avanço demonstra que esta tecnologia ainda experimental tem o potencial para atingir o desempenho necessário para ser incorporado em dispositivos eletrônicos práticos.
Os novos transistores orgânicos de película fina chaveiam, em média, mais de cinco vezes mais rápido do que os protótipos anteriores - e alguns deles são muito mais rápidos do que isso.
Eles foram construídos por uma equipe das universidades de Nebraska-Lincoln e Stanford, nos Estados Unidos, liderados pela professora Zhenan Bao, que já havia criado uma técnica de impressão que melhorou a eletrônica orgânica em 10 vezes.
Os pesquisadores demonstraram que é possível criar circuitos eletrônicos orgânicos de desempenho muito bom com 90% de transparência. [Imagem: Jinsong Huang/Yongbo Yuan]
Transistores orgânicos de alta velocidade
E a novidade está novamente na técnica de fabricação, uma melhoria em relação ao processo básico usado até agora para fabricar transistores com materiais à base de carbono.
Normalmente os pesquisadores colocam uma solução rica em moléculas de carbono e um plástico complementar sobre um substrato de sustentação, e fazem esse material girar, distribuindo a solução na forma de uma fina camada sobre o substrato.
A nova técnica tem duas diferenças principais: a solução é depositada apenas sobre uma pequena porção do substrato - uma área do tamanho de um selo postal - e, segundo, o substrato é girado em uma velocidade significativamente maior.
Estas modificações aparentemente simples resultaram em uma concentração mais densa e em um alinhamento mais perfeito das moléculas orgânicas - o suficiente para que os transistores resultantes fossem pelo menos cinco vezes melhores.
O processo continua a ser experimental, e os pesquisadores ainda não conseguem controlar com precisão os transistores resultantes, que também apresentam grandes variações de desempenho.
Contudo, mesmo neste estágio, alguns dos transistores resultantes já têm desempenho comparável ao dos transistores de silício usados nos processadores de computador mais modernos.
Além disso, os pesquisadores demonstraram que podem criar circuitos eletrônicos orgânicos de desempenho muito bom com 90% de transparência.
Bibliografia:
Ultra-high mobility transparent organic thin film transistors grown by an off-centre spin-coating method
Yongbo Yuan, Gaurav Giri, Alexander L. Ayzner, Arjan P. Zoombelt, Stefan C. B. Mannsfeld, Jihua Chen, Dennis Nordlund, Michael F. Toney, Jinsong Huang, Zhenan Bao
Nature Communications
Vol.: 5, Article number: 3005
DOI: 10.1038/ncomms4005